Sifat Magnetisasi dan Efek Gmr pada Sistem Lapisan Tipis Top Spin Valve Nife/cu/nife/nio

摘要

SIFAT MAGNETISASI DAN EFEK GMR PADA SISTEM LAPISAN TIPIS TOP SPIN VALVE NiFe/Cu/NiFe/NiO. Telah dilakukan preparasi dan karakteriasi sistem lapisan tipis yang yang membentuk top-spin-valve yang terdiri dari lapisan free layer NiFe I, spacer Cu, dan lapisan antiferromagnetik NiO yang mengikat lapisan magnetik NiFe II menjadi pinning layer. Lapisan dengan susunan tertentu yang membentuk sistem NiFe/Cu/NiFe/NiO tersebut telah berhasil dibuat dengan metoda sputtering, kemudian dilakukan karakterisasi. Pengukuran hubungan antara medan magnet dengan tahanan lapisan tipis menunjukkan hasil efek GMR yang signifikan, berkisar antara 0 - .4,5 %. Pengamatan kurva histerisis yang merupakan hubungan antara magnetisasi dengan medan luar menunjukkan suatu sstem yang terdiri dari free layer, pinning layer dan spacer. Hal ini merupakan realisasi dari sistem lapisan dengan sifat exchange-coupling seperti RKKY antar thin films. Dengan menggunakan Cu sebagai spacer, muncul efek antisimetris dari efek GMR yang kemungkinan disebabkan oleh anisotropi yang terjadi pada saat pertumbuhan thin film. Sifat tersebut diperkuat oleh adanya pengaruh medan luar H sebesar 50 Oe pada saat preparasi.. Efek magnetoresistance yang teramati merupakan GMR-ratio yang disebabkan oleh medan magnet luar, sehingga terjadi hamburan elektron pada batas antar lapisan.Pengukuran hiterisis menunjukkan “pinning” yang mengikat permaloy NiFeII secara antiferromagnetik pada lapisan NiO yang diikuti oleh pergeseran gaya koersitiv yang cukup besar, berkisar 30-75 gauss.